Интерфейс:
Тип интерфейса: PCI Express
Версия PCI-E: PCIe 3.0 x4 w/NVMe
Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель
Позиционирование использования: Desktop
Серия продукции: 970 PRO
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format): Да
Форм-фактор: M.2 2280
Номинальный объем, ГБ: 512
Объем после форматирования, GiB: 470.4
Тип памяти: 3D V-NAND MLC
Объем буфера, МБ: 512
Контроллер: Samsung Phoenix
Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с: 4000
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 3500
Максимальная скорость записи, МБ/с: 2300
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS: 370
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS: 500
Поддержка Background Garbage Collection: Да
Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.: 1500
Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ: 600
Ударостойкость при работе, G: 1500
Ударостойкость при хранении, G: 1500
Энергопотребление при работе, Вт: 8.5
Размеры:
Ширина, мм: 80
Глубина, мм: 22
Тип комплектации: RTL
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/us/computing/memory-storage/solid-state-drives/ssd-970-pro-nvme-m2-512gb-mz-v7p512bw/
Характеристики |
Категория: |
Жесткий диск SSD |
Версия PCI-E |
PCIe 3.0 x4 w/NVMe |
Вид устройства |
Внутренний твердотельный накопитель |
Внешняя скорость передачи данных, до |
4000 |
Гарантия: |
60 мес. |
Глубина |
22 |
Контроллер |
Samsung Phoenix |
Максимальная скорость записи |
2300 |
Максимальная скорость чтения |
3500 |
Номинальный объем |
512 |
Объем буфера |
512 |
Объем после форматирования |
470.4 |
Поддержка Background Garbage Collection |
Да |
Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format) |
Да |
Позиционирование использования |
Desktop |
Серия продукции |
970 PRO |
Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ) |
370 |
Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ) |
500 |
Среднее время наработки на отказ (MTBF) |
1500 |
Ссылка на описание |
https://www.samsung.com/us/computing/memory-storage/solid-state-drives/ssd-970-pro-nvme-m2-512gb-mz-v7p512bw/ |
Суммарное число записываемых Байт (TBF) |
600 |
Тип интерфейса |
PCI Express |
Тип комплектации |
RTL |
Тип памяти |
3D V-NAND MLC |
Ударостойкость при работе |
1500 |
Ударостойкость при хранении |
1500 |
Форм-фактор |
M.2 2280 |
Ширина |
80 |
Энергопотребление при работе |
8.5 |