Серия продукции: M471
Тип памяти: Unbuffered
Форм-фактор: SODIMM
Стандарт памяти: DDR4
Объем одного модуля, ГБ: 32
Количество модулей в комплекте, шт: 1
Суммарный объем, ГБ: 32
Эффективная частота, МГц: 2666
Пропускная способность, Мб/с: 21300
Поддержка ECC: Нет
Низкопрофильная: Нет
Количество чипов на модуле, шт: 16
Количество контактов: 260
CAS Latency (CL): 19
RAS to CAS Delay (tRCD): 19
Row Precharge Delay (tRP): 19
Activate to Precharge Delay (tRAS): 40
Напряжение питания, В: 1.2
Нормальная операционная температура, °C: 85
Расширенная операционная температура, °C: 95
Габариты:
Ширина, мм: 69.6
Высота, мм: 30
Вид поставки: OEM
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/semiconductor/dram/module/M471A4G43MB1-CTD/
Характеристики |
Категория: |
Модуль памяти |
Activate to Precharge Delay (tRAS) |
40 |
CAS Latency (CL) |
19 |
RAS to CAS Delay (tRCD) |
19 |
Row Precharge Delay (tRP) |
19 |
Вид поставки |
OEM |
Высота |
30 |
Гарантия: |
24 мес. |
Количество контактов |
260 |
Количество модулей в комплекте |
1 |
Количество чипов на модуле |
16 |
Напряжение питания |
1.2 |
Низкопрофильная |
Нет |
Нормальная операционная температура |
85 |
Объем одного модуля |
32 |
Поддержка ECC |
Нет |
Пропускная способность |
21300 |
Расширенная операционная температура |
95 |
Серия продукции |
M471 |
Ссылка на описание |
https://www.samsung.com/semiconductor/dram/module/M471A4G43MB1-CTD/ |
Стандарт памяти |
DDR4 |
Суммарный объем |
32 |
Тип памяти |
Unbuffered |
Форм-фактор |
SODIMM |
Ширина |
69.6 |
Эффективная частота |
2666 |