Тип памяти: Registred
Форм-фактор: DIMM
Стандарт памяти: DDR4
Объем одного модуля, ГБ: 16
Количество модулей в комплекте, шт: 1
Суммарный объем, ГБ: 16
Эффективная частота, МГц: 2933
Пропускная способность, Мб/с: 23400
Поддержка ECC: Да
Низкопрофильная: Нет
Количество чипов на модуле, шт: 18
Количество ранков: 2
Количество контактов: 288
CAS Latency (CL): 21
RAS to CAS Delay (tRCD): 21
Row Precharge Delay (tRP): 21
Activate to Precharge Delay (tRAS): 44
Напряжение питания, В: 1.2
Нормальная операционная температура, °C: 85
Расширенная операционная температура, °C: 95
Габариты:
Ширина, мм: 133.35
Высота, мм: 31.25
Глубина, мм: 4.2
Вид поставки: OEM
Ссылка на описание: https://www.samsung.com/semiconductor/global.semi/file/resource/2019/03/DDR4_8Gb_C_die_Registered_DIMM_Rev1.5_Feb.19_10089296104316.pdf
Комплект поставки: Инструкция
Характеристики |
Категория: |
Модуль памяти |
Activate to Precharge Delay (tRAS) |
44 |
CAS Latency (CL) |
21 |
RAS to CAS Delay (tRCD) |
21 |
Row Precharge Delay (tRP) |
21 |
Вид поставки |
OEM |
Высота |
31.25 |
Гарантия: |
36 мес. |
Глубина |
4.2 |
Количество контактов |
288 |
Количество модулей в комплекте |
1 |
Количество ранков |
2 |
Количество чипов на модуле |
18 |
Комплект поставки |
Инструкция |
Напряжение питания |
1.2 |
Низкопрофильная |
Нет |
Нормальная операционная температура |
85 |
Объем одного модуля |
16 |
Поддержка ECC |
Да |
Пропускная способность |
23400 |
Расширенная операционная температура |
95 |
Ссылка на описание |
https://www.samsung.com/semiconductor/global.semi/file/resource/2019/03/DDR4_8Gb_C_die_Registered_DIMM_Rev1.5_Feb.19_10089296104316.pdf |
Стандарт памяти |
DDR4 |
Суммарный объем |
16 |
Тип памяти |
Registred |
Форм-фактор |
DIMM |
Ширина |
133.35 |
Эффективная частота |
2933 |